BUCK降压芯片，小封装输出5V100mA，低功耗、高效率、线路简单，在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏，芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP，典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时，内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温，当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。可调输出电压，比较高输出电流限制的特 点，适用于非隔离型AC-DC。湖北AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

高效率低功耗30V降压DCDC电源芯片，30V3A，500kHz同步降压转换器KP52330X是一款简单易用高效率的同步降压直流/直流转换器，它具有4.5V至30V的宽输入电压范围，能够驱动高达3A的负载电流，非常适合用于12V和24V等常见的输入电源轨。KP523302轻载下工作在脉冲频率调制模式(PFM)以维持高轻载效率；KP523308轻载下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。通过集成MOSFET并采用TSOT23-6封装，该器件可实现高功率密度，并且在印刷电路板(PCB)上的占用空间非常小。采用具有内部补偿的峰值电流模式控制架构，用于维持稳定运行和超小的输出电容。借助EN精密使能功能，可对器件启动和关断进行精确控制。内置有完善的保护功能：输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。福建大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片原厂集成式线电压和输出电压补偿优化调整率。

如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。

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18V低功耗DCDC降压芯片，主要特点•宽输入电压范围：4.5Vto17V•输出电压范围：0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流：190μA(无开关动作，典型值)•低关断电流：2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式：•KP522201A：脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A：强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度：0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能：•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间，避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸：•支持使用MLCC陶瓷电容，且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型：SOT23-6电感电流的大小由过流保护门限决定，控 制器工作在临界导通模式下，加快了输出电容充电 速度。江西交流高压220V转5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片技术支持

内部功率MOSFET 漏极，当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。湖北AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。湖北AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

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